射频芯片
致力于打造更完善的硅基毫米波核心技术与产品生态
产品型号 产品名称 通道数 工作频率 输出功率 单通道发射增益 PAE 发射移相 发射衰减 接收噪声系数 单通道接收增益 IP1 接收移相 接收衰减 供电 尺寸 封装
CCAR30402B Ka 波段硅基四通道相控阵波束赋形芯片,国产化工艺 4 32~38GHz 27 dBm 24 dB 14% 6 bit / 5.625° 4 bit / 0.5 dB 4.5 dB 25 dB >-33 dBm 6 bit / 5.625° 6 bit / 0.5 dB 3.3 V / -5 V 7 mm × 5 mm FC-BGA
CCAR10405L Ku 波段硅基四通道相控阵波束赋形芯片,国产化工艺 4 12~18 GHz 31.4 dBm(14~18GHz) 24 dB 24% 6 bit / 5.625° 6 bit / 0.5 dB 3.5 dB 30 dB >-34dBm 6 bit / 5.625° 6 bit / 0.5 dB 3.3 V / -5 V 10.2 mm × 9.4mm FC-LGA
CCAR00404L X 波段硅基四通道相控阵波束赋形芯片,国产化工艺 4 8~12 GHz 31 dBm(8.5~10.5GHz) 24 dB 24% 6 bit / 5.625° 6 bit / 0.5 dB 3 dB 26 dB >-29 dBm 6 bit / 5.625° 6 bit / 0.5 dB 3.3 V / -5 V 10.2 mm × 9.4 mm FC-LGA
CCAR91601F W 波段十六通道幅相多功能芯片,国产化工艺 16 92~96 GHz ≥12.5 dBm ≥30 dB 12% 6 bit / 5.625° 5 bit / 0.5 dB 10 dB ≥20 dB -25.5 dBm 6 bit / 5.625° 5 bit / 0.5 dB 1.1 V / 3.3 V 3.6 mm × 5.4 mm FlipChip
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